Il teorema di Shockley, chiamato anche diodo di Shockley o diodo di passaggio, è un teorema fondamentale nella teoria dei dispositivi a semiconduttore, in particolare dei diodi a giunzione PN. Esso descrive il comportamento corrente-tensione di un diodo e stabilisce una relazione esponenziale tra la corrente che attraversa il diodo e la tensione ai suoi capi.
Il teorema di Shockley afferma che la corrente (I) che
scorre attraverso un diodo è legata alla tensione (V) ai suoi capi secondo
l'equazione:
I = I_s * (e^(V/Vt) - 1)
dove I_s è la corrente di saturazione inversa, e Vt è la
tensione termica (circa 25-26 mV a temperatura ambiente), e ^ indica
l'esponenziale di base e. Questa equazione mostra che la corrente di un diodo
aumenta in modo esponenziale al crescere della tensione inversa applicata.
Il teorema di Shockley è particolarmente utile per l'analisi
e la progettazione di circuiti contenenti diodi, poiché fornisce una
descrizione matematica del comportamento del diodo che consente di prevedere il
flusso di corrente attraverso il dispositivo in risposta a una data tensione
applicata. Questo teorema è stato sviluppato da William Shockley, uno dei
pionieri della tecnologia a semiconduttore e vincitore del Premio Nobel per la
fisica nel 1956.
